De Wafer ass aus purem Silizium (Si) gemaach.Allgemeng ënnerdeelt an 6-Zoll, 8-Zoll, an 12-Zoll Spezifikatioune, gëtt de wafer baséiert op dëser wafer produzéiert.Siliziumwafere virbereet aus héichreinegen Halbleiteren duerch Prozesser wéi Kristallzuch a Schneiden ginn Wafere genannt.benotzen si ronn a Form.Verschidde Circuitelementstrukture kënnen op de Siliziumwafere veraarbecht ginn fir Produkter mat spezifesche elektresche Properties ze ginn.funktionell integréiert Circuit Produiten.Wafers ginn duerch eng Serie vu Hallefleitfabrikatiounsprozesser fir extrem kleng Circuitstrukturen ze bilden, a ginn dann geschnidden, verpackt a getest a Chips, déi wäit a verschiddenen elektroneschen Apparater benotzt ginn.Wafer Materialien hunn méi wéi 60 Joer technologesch Evolutioun an industriell Entwécklung erlieft, eng industriell Situatioun ze bilden déi vu Silizium dominéiert gëtt an ergänzt duerch nei Hallefleitmaterialien.
80% vun den Handyen a Computere vun der Welt ginn a China produzéiert.China setzt op Importer fir 95% vu senge High-Performance-Chips of, sou datt China all Joer US $ 220 Milliarde verbréngt fir Chips z'importéieren, dat ass zweemol de jährlechen Uelegimport vu China.All Ausrüstung a Materialien am Zesummenhang mat Photolithographiemaschinnen an Chipproduktioun sinn och blockéiert, sou wéi Wafers, High-Purity Metaller, Ätzmaschinnen, asw.
Haut wäerte mir kuerz iwwer de Prinzip vun der UV-Liichtläsche vu Wafermaschinne schwätzen.Beim Schreiwen vun Daten ass et néideg Ladung an de Schwemmpaart ze sprëtzen andeems en Héichspannung VPP op de Paart applizéiert gëtt, wéi an der Figur hei ënnendrënner.Well d'Injektiounsladung net d'Energie huet fir d'Energiemauer vum Siliziumoxidfilm z'erreechen, kann se nëmmen de Status Quo behalen, also musse mir der Ladung eng gewëssen Energie ginn!Dëst ass wann ultraviolet Liicht gebraucht gëtt.
Wann d'Schwemmpaart ultraviolet Bestrahlung kritt, kréien d'Elektronen am Schwemmpaart d'Energie vun ultraviolettem Liichtquanten, an d'Elektronen ginn waarm Elektronen mat Energie fir d'Energiemauer vum Siliziumoxidfilm ze penetréieren.Wéi an der Figur gewisen, waarm Elektronen penetréieren de Siliziumoxidfilm, fléissen an de Substrat a Paart, an zréck an de geläschte Staat.D'Läschoperatioun kann nëmme gemaach ginn andeems Dir ultraviolet Bestrahlung kritt, a kann net elektronesch geläscht ginn.An anere Wierder, d'Zuel vun de Bits kann nëmme vun "1" op "0" geännert ginn, an an der Géigendeel Richtung.Et gëtt keng aner Manéier wéi de ganzen Inhalt vum Chip ze läschen.
Mir wëssen datt d'Energie vum Liicht invers proportional zu der Wellelängt vum Liicht ass.Fir datt Elektronen waarm Elektronen ginn an domat d'Energie hunn fir an den Oxidfilm ze penetréieren, ass d'Bestralung vu Liicht mat enger méi kuerzer Wellelängt, dat heescht ultraviolette Strahlen, ganz gebraucht.Well d'Läschzäit vun der Unzuel vun de Photonen hänkt, kann d'Läschzäit och bei méi kuerze Wellelängten net verkierzt ginn.Allgemeng fänkt d'Läschen un wann d'Wellelängt ongeféier 4000A (400nm) ass.Et erreecht grondsätzlech Sättigung ëm 3000A.Ënner 3000A, och wann d'Wellelängt méi kuerz ass, wäert et keen Impakt op d'Läschzäit hunn.
De Standard fir UV-Läschen ass allgemeng ultraviolet Strahlen mat enger präzis Wellelängt vun 253,7nm an enger Intensitéit vun ≥16000 μW /cm² ze akzeptéieren.D'Läschoperatioun kann duerch Belaaschtungszäit vun 30 Minutten bis 3 Stonnen ofgeschloss ginn.
Post Zäit: Dez-22-2023